RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.6 left arrow 14.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 10.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 17000
    Около 1.51% выше полоса пропускания
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 33
    Около -22% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.6 left arrow 14.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2910 left arrow 2409

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
модули RAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
модули RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
модули RAM