RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
48
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
48
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2366
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link