RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3741
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link