RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3657
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link