Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 41

Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.5 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.3 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 17.5
Скорость записи, Гб/сек

8.5 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2322 3317

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB

модули RAM