RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
54
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
54
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2938
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link