Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 28

Около 18% меньшая задержка

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Причины выбрать
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.7 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.8 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 19.7
Скорость записи, Гб/сек

8.0 16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 3927

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

модули RAM