Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 53

Около 57% меньшая задержка

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 53
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 17.5
Скорость записи, Гб/сек

8.0 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 2310

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

модули RAM