Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 37

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.3 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 17.3
Скорость записи, Гб/сек

8.4 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3914

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB

Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB

Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

модули RAM