RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB против V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
59
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
14.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
59
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2409
2225
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link