RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
28
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
17
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
22.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3731
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link