Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 64

Около 56% меньшая задержка

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.1 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 64
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 16.5
Скорость записи, Гб/сек

7.5 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 2016

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

модули RAM