RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3158
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link