Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 39
    Около 28% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.5 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    12.8 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 8500
    Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 12.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 7.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 1770
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения