RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
95
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
95
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1518
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link