RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2564
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link