Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 28

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 8500

Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 17.6
Скорость записи, Гб/сек

7.5 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 21300

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 3029

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB

Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

модули RAM