Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.7 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 35
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 18.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2321 3423

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB

Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB

Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB

модули RAM