RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2773
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link