RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
56
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2932
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link