RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
56
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2680
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link