RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    56 left arrow 65
    Около 14% меньшая задержка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,451.8 left arrow 1,813.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    56 left arrow 65
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,387.7 left arrow 4,605.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,813.5 left arrow 2,451.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    693 left arrow 878

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
модули RAM