Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 52

Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.4 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.4 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 14900

Около 1.14 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 24
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 19.4
Скорость записи, Гб/сек

7.2 17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 17000

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2173 3809

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905598-009.A00G 8GB

Kingston 9905598-009.A00G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

модули RAM