RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2763
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link