RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3694
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link