RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
53
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2301
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link