RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3049
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link