Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 51

Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.1 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 25
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 19.1
Скорость записи, Гб/сек

8.1 16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2208 3845

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston KHX2666C15/16GX 16GB

Kingston KHX2666C15/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB

Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB

Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB

Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

модули RAM