RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
52
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2732
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link