RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против AMD R7S48G2400U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
74
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
74
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
1774
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link