RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
53
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
53
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
20.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2476
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link