Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 44

Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.9 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 38
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 12.9
Скорость записи, Гб/сек

8.1 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 2690

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

модули RAM