RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
44
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
17
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
21.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3702
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link