RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
44
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
19.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3527
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link