Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 49

Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.5 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.6 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 36
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 14.5
Скорость записи, Гб/сек

7.8 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 3001

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB

Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB

Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

модули RAM