RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
22.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
20.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
4421
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link