Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 47

Около -147% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.4 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 19
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 20.0
Скорость записи, Гб/сек

7.8 16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 3521

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM