RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3568
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link