RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2548
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link