Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 54

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.1 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.0 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 28
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 19.1
Скорость записи, Гб/сек

8.1 17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 3786

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston 9905598-028.A00G 8GB

Kingston 9905598-028.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston 99U5702-095.A00G 8GB

Kingston 99U5702-095.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

модули RAM