RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3593
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link