RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3352
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link