Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 31

Около 13% меньшая задержка

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.2 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 31
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 15.2
Скорость записи, Гб/сек

7.3 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2057 2712

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM