Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 42

Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.7 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.2 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 20
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 19.7
Скорость записи, Гб/сек

9.0 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 3473

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB

Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB

Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

модули RAM