RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,404.5 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 104
    Около -333% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    104 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,192.0 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,404.5 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    786 left arrow 2925

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
модули RAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378B5773DH0-CK0 2GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
модули RAM