RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.6
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1832
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link