RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
104
Около -352% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2978
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link