RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
74
Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2854
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link