RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
73
Около -284% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3626
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link