RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
68
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3007
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link